Accelerator för avancerad ansträngd kisel på isolatorsubstrat (DIGITAL-JU-CHIPS-2025-SG-SSOI)

Sammanfattning av vad utlysningen handlar om: Utlysningen syftar till att etablera en industriell accelerator för att skala upp produktionen av sSOI-substrat (Strained Silicon on Insulator), en nyckelteknik för framtidens halvledare som möjliggör förbättrad prestanda i 7nm FD-SOI-baserade komponenter.

Syftet med utlysningen: Att tillhandahålla den infrastruktur som krävs för att övergå från forskning till industriell tillverkning av sSOI-substrat, samt att möjliggöra integrationen av dessa i Europas halvledarindustri.

Mål för utlysningen: Utveckla substrat med låg defektdensitet, validera processer för integration i befintlig produktion, möjliggöra balanserad prestanda mellan NMOS och PMOS, samt tillhandahålla öppna PDK:er och MPW-tjänster för design och validering av nästa generations kretsar.

Förväntad påverkan/resultat: Förstärkt europeiskt tekniskt ledarskap inom halvledarteknik, förbättrad konkurrenskraft globalt, ökad tillgång till avancerad substratteknologi, samt kompetensuppbyggnad och samarbete i hela värdekedjan. Validering mot FinFET-teknik i termer av lägre brus, bättre RF-prestanda och energieffektivitet.

Behörighet: Juridiska personer inom EU eller EES. Aktörer kontrollerade från tredje land kan delta under särskilda säkerhetsvillkor. Maximalt 70 deltagare i konsortiet. Enskild partner får högst ta emot 50 % av den totala EU-finansieringen.

Eventuella krav på konsortier: Konsortier bör omfatta hela värdekedjan, från materialleverantörer till systemintegratörer. Projektet ska samverka med andra Chips JU-initiativ, inklusive pilotlinjer, designplattformar och kompetenscenter.